RAM指是半導體存儲器， RAM是Random Access Memory的縮寫。RAM通常都是在掉電之后就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。
　　
         RAM
　    有兩大類，一種稱為靜態RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非?？?，是現在讀寫最快的儲設備了，但是價格比較昂貴，所以只在要求很嚴苛的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但是DRAM的價格比SRAM要便宜不少，計算機內存就是DRAM的。 DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。
　　DDR RAM(Date-Rate RAM)也叫作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同的地方在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標準-Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
　　內存工作原理：
　　內存是用來存放當前正在使用的的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存(即DRAM)，動態內存中所謂的"動態"，指的是當我們將數據寫入DRAM后，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因;刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認為其代表1，并把電容充滿電;若電量小于1/2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
　　
         SRAM
　　 SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。
　　以上主要用于系統內存儲器，容量大，不需要斷電后仍保存數據的。
　　
        PSRAM
　　PSRAM ，假靜態隨機存儲器。具有一個單晶體管的DRAM儲存格，與傳統具有六個晶體管的SRAM儲存格或是四個晶體管與two-load resistor SRAM儲存格大不相同，但它具有類似SRAM的穩定接口，內部的DRAM架構給予PSRAM一些比low-power 6TSRAM優異的長處，例如體積更為輕巧，價格更具優勢。目前在整體SRAM市場中，有90%的制造商都在生產PSRAM組件。在過去兩年，市場上重要的SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。
　　
      基本原理：
      PSRAM就是偽SRAM，內部的內存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。
　　PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突發模式，不會很慢，WINBOND .Hynix，Coremagic, MICRON. CY等廠家都有供應，價格只比相同容量的SDRAM稍貴一點點，比SRAM便宜許多。
　　PSRAM主要應用在手機、掌上電腦、.MP3/4、PDA、PMP、GPS接收器等消費電子產品，與SRAM(采用6T的技術)相比，PSRAM采用的是1T+1C的技術，所以在體積上更小，同時，PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對于要求有一定緩存容量的很多便攜式產品是一個不錯的選擇。
　　
         FLASH
　    FLASH存儲器又稱閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據(NVRAM的優勢)，U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用(U盤)。
　　Flash ROM
　　Flash ROM是利用浮置柵上的電容存儲電荷來保存信息，因為浮置柵不會漏電，所以斷電后信息仍然可以保存。也由于其結構比較簡單所以集成度可以做的很高，容量可以很大。Flash rom寫入前需要用電進行擦除，而且擦除不同與EEPROM可以以byte(字節)為單位進行，flash rom只能以sector(扇區)為單位進行。不過其寫入時可以byte為單位。flash rom主要用于bios，U盤，Mp3等需要大容量且斷電不丟數據的設備。        
　　目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。
　　NAND Flash沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，采用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。 一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來存儲操作系統等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統采用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH 主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。
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